九游会官网真人游戏第一品牌技术文章 如何为降压应用选择合适的Buck转换器和？如图1由一颗SCT2A23芯片、一个功率电感L1及输入输出电容，构成了100V输入转换成12V输出的降压电路j9九游会官网入口，功率开关管集成在了芯片内部，如图2所示HS、LS。

　　只有控制电路，故而叫。需外加功率开关管才能构成一个完整的降压电路：由SCT82A30、两个功率开关管Q1和Q2、功率电感L1及输入输出电容，构成了100V输入转换成5V输出的降压电路。

　　，因此下管比上管更低的Rdson设计，有利于均衡上下管所产生的导通损耗和覆盖大部分应用需求。如图5 SCT2A23，上管Rdson是530mΩ，下管Rdson是220mΩ。

　　功率路径的阀门与功率损耗的承载者，选好功率开关管对电源系统的高效稳定运作十分重要。这需要系统效率/温升情况/空间尺寸/成本等度综合考虑。

　　电流电压的极速变化区间，从栅极电压升至VGS_th阈值电压到米勒平台结束的时间，记作tf，从米勒平台开始到栅极降至VGS_th阈值电压的时间，记作trj9九游会官网入口。

　　内部驱动参数和外置MOS的特性参数相关，如图9所示的驱动环路，其计算可根据电荷量公式Q=I×t 近似得出（3）

　　G为驱动端外部串联到MOSFET栅极的驱动电阻。RON_H和RON_L分别是驱动端内部的导通漏源阻抗，如下图截取SCT82A30电气性能表格中列出的Gate Driver值。

　　总栅极电荷量Qg、开通阈值电压VGS_th、驱动器内部的漏源阻抗RON以及驱动电压VDD，对MOS管在高速开关过程中的开关损耗有较大的影响。

　　tLGD_DT和tHGD_DT分别是上管导通时的死区时间和下管导通时的死区时间。在规格书中分别是25ns和22ns。

　　，初步判断所选MOS管的结温情况能否满足所需，确保结温限制在一定安全裕量j9九游会官网入口。不同的热特性参数（热阻）描述的是因损耗产生的热在不同传播路径的阻抗(如图10)。

　　有效降低对外置MOSFET结电容等参数的要求，实现大功率大电流场景应用。内部提供7.5V稳压源，用于驱动外部MOSFET开通于合理的线性区；

　　提高系统整体效率。当EXTVCC超过4.7V时关闭内部LDO、接通到VCC。如图12在48V/72V应用时，使用外部EXTVCC带来13%效率提升。